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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ529L

2SJ529L PDF预览

2SJ529L

更新时间： 2024-01-18 04:34:53

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体开关晶体管脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	55K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ529L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ529L 数据手册

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2SJ529(L),2SJ529(S)

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-654A (Z)

2nd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.12 Ω typ.

4 V gete drive devices

High speed switching

•

•

Outline

DPAK–2

4

4

D

1

2

3

G

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

1

2

3

S

12 3 4 5 6 7...9

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与2SJ529L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ529L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ529S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ529S	KEXIN	Hight Speed Power Switching	获取价格
2SJ529S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ529S-E	RENESAS	10A, 60V, 0.24ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3	获取价格
2SJ529STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格

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