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2SJ496

更新时间: 2024-02-11 08:39:16
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
10页 53K
描述
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ496 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-92 Mod
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.25
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.24 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.9 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ496 数据手册

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2SJ496  
Silicon P-Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-482  
1st. Edition  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.12typ. (at VGS = –10 V, ID = –2.5 A)  
4V gate drive devices.  
Large current capacitance  
ID = –5 A  
Outline  
TO-92 Mod  
3
2
1
D
1. Source  
2. Drain  
3. Gate  
G
S

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