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2SJ387S

更新时间: 2024-01-18 23:59:55
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 50K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

2SJ387S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-63
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.65
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ387S 数据手册

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2SJ387(L), 2SJ387(S)  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
Low drive current  
2.5 V Gate drive device can be driven from 3 V Source  
Suitable for Switching regulator, DC - DC converter  
Outline  
DPAK-2  
4
4
1
2
3
1
2
3
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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