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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SJ361TR

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2SJ361TR

更新时间： 2024-01-27 04:10:02

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
9页	45K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, UPAK-3

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2SJ361TR 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.26
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

2SJ361TR 数据手册

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2SJ361

Silicon P-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•

•

•

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source

Outline

UPAK

1

2

3

4

D

1. Gate

G

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ362	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ362TL	ONSEMI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ363	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ363PY	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ363PYTL	HITACHI	2A, 30V, 0.75ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ363PYUL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格

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