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2SJ319(S)TL

更新时间: 2024-01-24 21:49:36
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
9页 48K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ319(S)TL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DPAK(S)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:2.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ319(S)TL 数据手册

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2SJ319(L), 2SJ319(S)  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
DPAK-1  
4
4
1
2
3
1
2
3
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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