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2SJ244JYUL

更新时间： 2024-01-12 22:22:44
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
8页 47K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ244JYUL 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
最大漏源导通电阻：0.9 ΩJESD-30 代码：R-PSSO-F3
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

2SJ244JYUL 数据手册

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2SJ244  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Low voltage operation  
Features  
•
•
•
Very Low on-resistance  
High speed switching  
Suitable for camera or VTR motor drive circuit, power switch, solenoid drive and etc.  
Outline  
UPAK  
1
2
3
4
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S
12345678

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