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2SJ218

更新时间: 2024-02-15 08:14:10
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 32K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

2SJ218 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PFM
包装说明:TO-3PFM, 3 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
最大漏源导通电阻:0.06 ΩJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

2SJ218 数据手册

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2SJ218  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
·
·
·
Low on-resistance  
High speed switching  
4 V gate drive device  
¾ Can be driven from 5 V source  
·
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  

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