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2SJ186CYUL

更新时间: 2024-01-31 09:07:12
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 44K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ186CYUL 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.28
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):0.5 A
最大漏源导通电阻:12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ186CYUL 数据手册

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2SJ186  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
UPAK  
1
2
3
4
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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