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2SJ182

更新时间: 2024-01-14 01:21:39
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
10页 49K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

2SJ182 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.18配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.55 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ182 数据手册

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2SJ181(L), 2SJ181(S)  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
DPAK-1  
4
4
1
2
3
1
2
3
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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