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2SJ176

更新时间: 2024-02-14 23:10:57
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 275K
描述
SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING

2SJ176 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Not Recommended
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SJ176 数据手册

 浏览型号2SJ176的Datasheet PDF文件第2页 

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