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2SJ172

更新时间: 2024-02-15 22:16:11
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 45K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

2SJ172 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-220AB包装说明:TO-220AB, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.19外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):10 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ172 数据手册

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2SJ172  
Silicon P-Channel MOS FET  
November 1996  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device  
Can be driven from 5 V source  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
TO-220AB  
1
D
2
3
1. Gate  
2. Drain  
G
(Flange)  
3. Source  
S

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ172-E RENESAS 10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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