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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ118 | ETC | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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| 2SJ119 | ETC | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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| 2SJ120L | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ120S | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ122 | ETC | TRANSISTOR TO 220 MOSFET P KANAL |
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| 2SJ123 | TOSHIBA | TRANSISTOR 10 A, 70 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power |
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