2SA743A

更新时间： 2024-02-15 03:23:41

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SA743A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA743A 数据手册

2SA743, 2SA743A

Silicon PNP Epitaxial

Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SC1212 and 2SC1212A

Outline

TO-126 MOD

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Ratings

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SA743

2SA743A

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–50

–80

–50

–80

–4

–1

Collector power dissipation

P_C

0.75

P_C*¹

Junction temperature

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

12 3 4 5 6

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