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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1960RR | RENESAS | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
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| 2SA1960TZ | RENESAS | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92 |
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| 2SA1961 | PANASONIC | Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SA1961P | PANASONIC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT2, |
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| 2SA1961Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71 |
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| 2SA1962 | TOSHIBA | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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