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2SA1810

更新时间: 2024-02-20 15:50:07
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 35K
描述
Silicon PNP Epitaxial

2SA1810 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.04
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

2SA1810 数据手册

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2SA1810  
Silicon PNP Epitaxial  
Application  
High frequency amplifier  
Features  
Excellent high frequency characteristics  
fT = 300 MHz typ  
High voltage and low output capacitance  
VCEO = –200 V, Cob = 5.0 pF typ  
Suitable for wide band video amplifier  
Outline  
TO-126 MOD  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
1
2
3

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