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2SA1566JIDTL

更新时间: 2024-01-18 00:03:33
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日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
6页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3

2SA1566JIDTL 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.46最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):400JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):90 MHzBase Number Matches:1

2SA1566JIDTL 数据手册

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2SA1566  
Silicon PNP Epitaxial  
Application  
Low frequency amplifier  
Outline  
MPAK  
3
1
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
2

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