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2SA1485

更新时间: 2024-02-01 21:36:33
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日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
6页 31K
描述
Silicon PNP Epitaxial

2SA1485 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA1485 数据手册

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2SA1485  
Silicon PNP Epitaxial  
Application  
Low frequency amplifier  
Outline  
TO-92 (1)  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
3
2
1

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