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2SA1194K

更新时间: 2024-02-17 07:08:52
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日立 - HITACHI 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 38K
描述
Silicon PNP Epitaxial

2SA1194K 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.54
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SA1194K 数据手册

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2SA1194(K)  
Silicon PNP Epitaxial  
Application  
High gain amplifier  
Outline  
TO-126 MOD  
2
3
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
1
2
3
1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
–60  
–60  
V
–7  
V
–1  
A
Collector peak current  
Collector power dissipation  
IC(peak)  
–2  
A
PC  
1
W
W
°C  
°C  
PC*1  
Tj  
8
Junction temperature  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Note: 1. Value at TC = 25°C  

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