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2SA1191D

更新时间: 2024-01-11 17:15:26
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
10页 44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, TO-92

2SA1191D 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.17
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):250JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM标称过渡频率 (fT):130 MHz
Base Number Matches:1

2SA1191D 数据手册

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2SA1190, 2SA1191  
Silicon PNP Epitaxial  
Application  
Low frequency low noise amplifier  
Complementary pair with 2SC2855 and 2SC2856  
Outline  
TO-92 (1)  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
3
2
1

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