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2SA1190D

更新时间: 2024-02-29 16:45:35
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
10页 44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, TO-92

2SA1190D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.17最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):250
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
标称过渡频率 (fT):130 MHzBase Number Matches:1

2SA1190D 数据手册

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2SA1190, 2SA1191  
Silicon PNP Epitaxial  
Application  
Low frequency low noise amplifier  
Complementary pair with 2SC2855 and 2SC2856  
Outline  
TO-92 (1)  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
3
2
1

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