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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.21 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1189-D | HITACHI | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SA1189DRF | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA1189DRR | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| 2SA1189E | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SA1189-E | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SA1189ERF | RENESAS | 100mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
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