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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1121SBTR

2SA1121SBTR PDF预览

2SA1121SBTR

更新时间： 2024-01-29 21:49:34

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	27K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3

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2SA1121SBTR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz

2SA1121SBTR 数据手册

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2SA1121

Silicon PNP Epitaxial

Application

•

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SC2618

Outline

MPAK

3

1

1. Emitter

2. Base

2

3. Collector

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1121SBUL	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3	获取价格
2SA1121SBUR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3	获取价格
2SA1121SC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23	获取价格
2SA1121SCTL-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1121SCTL-H	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1121SCTR-E	RENESAS	暂无描述	获取价格

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