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1SS82TA-E

更新时间: 2024-02-09 08:55:41
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日立 - HITACHI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1SS82TA-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.66其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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