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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.49 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 100 µA | 最大反向恢复时间： | 0.1 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1SS81TX | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1SS81TX | RENESAS | 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1SS82 | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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| 1SS82 | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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| 1SS82 | SUNMATE | Switching Diodes Switch detector |
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| 1SS82-E | RENESAS | 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
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