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1SS286

更新时间: 2024-02-01 16:10:47
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 肖特基二极管微波混频二极管开关
页数 文件大小 规格书
6页 30K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching

1SS286 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.69
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1SS286 数据手册

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1SS286  
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector,  
High Speed Switching  
ADE-208-302A (Z)  
Rev. 1  
Sep. 1995  
Features  
Very low reverse current.  
Detection efficiency is very good.  
Small glass package (MHD) enables easy mounting and high reliability.  
Ordering Information  
Type No.  
Cathode band  
Green  
Mark  
Package Code  
MHD  
1SS286  
7
Outline  
2
1
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  

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