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1SS108RF

更新时间: 2024-02-14 08:40:17
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日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Mixer Diode, Silicon, DO-35

1SS108RF 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.23
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:3 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS108RF 数据手册

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