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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 3 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | PLANAR DOPED BARRIER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1S2076A | SYNSEMI | HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
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| 1S2076A | KISEMICONDUCTOR | SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE |
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| 1S2076A | LGE | High reliability with glass seal. |
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| 1S2076A | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator |
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| 1S2076A | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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| 1S2076A | EIC | Switching Diodes |
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