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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.008 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1S2075K-E | RENESAS | 0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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|
| 1S2076 | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator |
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| 1S2076 | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
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|
| 1S2076 | SUNMATE | Switching Diodes Switch detector |
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|
| 1S2076A | SYNSEMI | HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
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| 1S2076A | KISEMICONDUCTOR | SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE |
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