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HIRF630

更新时间： 2024-02-19 03:53:53

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5页	56K
描述
N-Channel MOSFETs

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HIRF630 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	38 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

HIRF630 数据手册

Spec. No. : HE6732-A

Issued Date : 1998.07.01

Revised Date : 1999.08.01

Page No. : 1/5

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HIRF630

N - Channel MOSFETs

Description

Dynamic dv / dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature ..................................................................................... 150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 74 W

• Maximum Voltages and Currents (Tc=25°C)

Drain To Source Breakdown Voltage ................................................................................ 200 V

Gate To Source Voltage................................................................................................... ± 20 V

Continuous Source Current .................................................................................................. 9 A

Pulsed Drain Current .......................................................................................................... 36 A

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, VGS at 10V

Single Pulse Avalanche Energy (1)

Avalanche Current (2)

250

ID Tc=25°C

EAS

IAR

EAR

dv / dt

Repetitive Avalanche Energy (2)

Peak Diode Recovery dv / dt (3)

7.4

V / ns

Note : V_DD=50V, starting T_J=25°C, L=4.6mH, R_Q=25Ω, I_AS=9A

Repetitive rating; width limited by max. Junction temperature. I_SD≤9A, di/dt≤120A / us, V_DD≤V_(BR)DSS, T_J≤150°C

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Junction to Case

Case to Sink, Flat, Greased Surface

Junction to Ambient

Min.

Typ.

Max.

Units

0.5

1.7

RθJC

RθCS

RθJA

°C/W

HSMC Product Specification

12 3 4 5

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