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HI3055

更新时间： 2024-02-19 11:08:52

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HSMC		晶体晶体管局域网
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2页	25K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HI3055 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	Base Number Matches：	1

HI3055 数据手册

Spec. No. : HE9004

Issued Date : 1994.01.25

Revised Date : 2001.05.31

Page No. : 1/2

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HI3055

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HI3055 is designed for general purpose of amplifier and

switching applications.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature .................................................................................................... +150 °C

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ..................................................................................... 20W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage...................................................................................... 70 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 60 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V

IC Collector Current............................................................................................................ 10 A

IB Base Current .................................................................................................................... 6 A

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=200mA, IE=0

IC=10mA, IB=0

IE=10mA, IC=0

VCB=70V, IE=0

VCE=70V, VEB(off)=1.5V

VCE=30V, IB=0

VEB=5V, IC=0

IC=4A, IB=400mA

IC=10A, IB=3.3A

VCE=4V, IC=4A

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

ICEX

ICEO

0.5

1.1

1.8

100

IEBO

*VCE(sat)1

*VCE(sat)2

*VBE(on)

*hFE1

VCE=4V, IC=4A

VCE=4V, IC=10A

VCE=10V, IC=500mA, f=1MHz

*hFE2

MHz

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HI3055

HSMC Product Specification

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