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HGTD14N41G4VLS

更新时间： 2024-01-28 02:15:20
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 汽车点火双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

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HGTD14N41G4VLS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.26其他特性：VOLTAGE CLAMPING
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：24 A
集电极-发射极最大电压：430 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HGTD14N41G4VLS 数据手册

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HGTD14N41G4VLS  
TM  
Data Sheet  
June 2000  
File Number 4883  
ADVANCE INFORMATION  
14A, 410V, N-Channel Ignition IGBT  
Features  
o
The HGTD14N41G4VLS is an N-Channel MOS gated,  
Logic Level IGBT that is intended to be used as an ignition  
coil driver in automotive ignition circuits. Unique features  
include an Active Voltage Clamp between the collector and  
the gate which provides Self Clamped Inductive Switching  
(SCIS) capability in ignition circuits. Internal diodes provide  
ESD protection for the logic level gate.  
• Ignition Energy = 225mJ at T  
. . . . . . . 25 C  
o
J (STARTING)  
[ /Title  
(HGT  
D14N4  
1G4V  
LS)  
• Typical Internal Clamp Voltage . . . . . 410V at T = 25 C  
J
• ESD Gate Protection  
• Logic Level Gate Drive  
• 24V Reverse Battery Capability  
o
/Subjec  
t (14A,  
410V,  
N-  
Chann  
el  
• Operating T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175 C  
J
Formerly Developmental Type 49362.  
• Related Literature  
Ordering Information  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
14N41G  
HGTD14N41G4VLS  
TO-252AA  
Packaging  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA in tape and reel, i.e., HGTD14N41G4VLS9A.  
JEDEC TO-252AA  
Ignitio  
n
TOP VIEW  
IGBT)  
/Autho  
r ()  
/Keyw  
ords  
Symbol  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
G
E
COLLECTOR  
75Ω TYP  
(Intersi  
l
GATE  
18kΩ TYP  
Corpor  
ation,  
semico  
nducto  
r, 14A,  
410V,  
N-  
EMITTER  
Chann  
el  
Ignitio  
n
IGBT)  
/Creato  
r ()  
/DOCI  
NFO  
pdfmar  
k
INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Intersil and Design is a trademark of Intersil Corporation. | Copyright © Intersil Corporation 2000  
1
1234

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与HGTD14N41G4VLS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD14N41G4VLS9A RENESAS

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 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD1N120BNS FAIRCHILD

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 		5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120BNS INTERSIL

获取价格

 		5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120BNS9A FAIRCHILD

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA
HGTD1N120BNS9A ONSEMI

获取价格

 		IGBT，1200V，NPT
HGTD1N120CNS INTERSIL

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 		6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120CNS9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA
HGTD2N120BNS INTERSIL

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 		12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120BNS9A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA
HGTD2N120CNS FAIRCHILD

获取价格

 		13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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