5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 4.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 130 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 45 ns | VCEsat-Max： | 2.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTD14N41G4VLS | RENESAS |
获取价格 |
24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
|
| HGTD14N41G4VLS9A | RENESAS |
获取价格 |
24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
|
| HGTD1N120BNS | FAIRCHILD |
获取价格 |
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
|
| HGTD1N120BNS | INTERSIL |
获取价格 |
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
|
| HGTD1N120BNS9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA |
|
| HGTD1N120BNS9A | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，1200V，NPT |
|
| HGTD1N120CNS | INTERSIL |
获取价格 |
6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
|
| HGTD1N120CNS9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA |
|
| HGTD2N120BNS | INTERSIL |
获取价格 |
12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
|
| HGTD2N120BNS9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
