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HGTD10N50F1 PDF预览

HGTD10N50F1

更新时间： 2024-01-28 03:01:36
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

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HGTD10N50F1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：4.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：75 W最大功率耗散 (Abs)：75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：2.2 V
Base Number Matches：1

HGTD10N50F1 数据手册

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HGTD10N40F1, HGTD10N40F1S,  
HGTD10N50F1, HGTD10N50F1S  
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs  
March 1997  
Features  
Packages  
HGTD10N40F1, HGTD10N50F1  
JEDEC TO-251AA  
• 10A, 400V and 500V  
• VCE(ON) 2.5V Max.  
• TFALL ≤1.4µs  
EMITTER  
COLLECTOR  
GATE  
• Low On-State Voltage  
• Fast Switching Speeds  
• High Input Impedance  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Applications  
HGTD10N40F1S, HGTD10N50F1S  
JEDEC TO-252AA  
• Power Supplies  
• Motor Drives  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
• Protective Circuits  
GATE  
Description  
EMITTER  
The HGTD10N40F1, HGTD10N40F1S, HGTD10N50F1, and  
HGTD10N50F1S are n-channel enhancement-mode insu-  
lated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high volt-  
age, low on-dissipation applications such as switching  
regulators and motor drivers. These types can be operated Terminal Diagram  
directly from low power integrated circuits.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
PACKAGING AVAILABILITY  
PACKAGE  
C
PART NUMBER  
HGTD10N40F1  
HGTD10N50F1  
HGTD10N40F1S  
HGTD10N50F1S  
BRAND  
TO-251AA  
TO-251AA  
TO-252AA  
TO-252AA  
G10N40  
G10N50  
G
G10N40  
G10N50  
E
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A to  
obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e., HGTD10N40F19A.  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTD10N40F1  
HGTD10N50F1  
HGTD10N40F1S HGTD10N50F1S UNITS  
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
400  
400  
500  
500  
V
V
CES  
CGR  
Collector-Gate Voltage R = 1MΩ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GE  
Gate-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±20  
12  
10  
75  
±20  
12  
10  
75  
V
A
A
GE  
C25  
C90  
o
Collector Current Continuous at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
o
at T = +90 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
o
Power Dissipation Total at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Power Dissipation Derating T > +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
W
C
D
o
o
0.6  
-55 to +150  
0.6  
-55 to +150  
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
C
J
STG  
INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS:  
4,364,073  
4,587,713  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,417,385  
4,598,461  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
4,430,792  
4,605,948  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,443,931  
4,618,872  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,466,176  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,516,143  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,532,534  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,567,641  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 2425.4  
www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
3-1  
1234

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与HGTD10N50F1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD10N50F1S INTERSIL

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 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S9A RENESAS

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 		12A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD14N41G4VLS RENESAS

获取价格

 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD14N41G4VLS9A RENESAS

获取价格

 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD1N120BNS FAIRCHILD

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 		5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120BNS INTERSIL

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 		5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120BNS9A FAIRCHILD

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA
HGTD1N120BNS9A ONSEMI

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 		IGBT，1200V，NPT
HGTD1N120CNS INTERSIL

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 		6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120CNS9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA

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