5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HGTD10N40F1S
HGTD10N40F1S PDF预览

HGTD10N40F1S

更新时间： 2024-09-29 22:40:23
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

阅读下载

中文翻译

获取价格

HGTD10N40F1S 数据手册

 浏览型号HGTD10N40F1S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HGTD10N40F1S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HGTD10N40F1S的Datasheet PDF文件第4页 
HGTD10N40F1, HGTD10N40F1S,  
HGTD10N50F1, HGTD10N50F1S  
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs  
March 1997  
Features  
Packages  
HGTD10N40F1, HGTD10N50F1  
JEDEC TO-251AA  
• 10A, 400V and 500V  
• VCE(ON) 2.5V Max.  
• TFALL ≤1.4µs  
EMITTER  
COLLECTOR  
GATE  
• Low On-State Voltage  
• Fast Switching Speeds  
• High Input Impedance  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Applications  
HGTD10N40F1S, HGTD10N50F1S  
JEDEC TO-252AA  
• Power Supplies  
• Motor Drives  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
• Protective Circuits  
GATE  
Description  
EMITTER  
The HGTD10N40F1, HGTD10N40F1S, HGTD10N50F1, and  
HGTD10N50F1S are n-channel enhancement-mode insu-  
lated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high volt-  
age, low on-dissipation applications such as switching  
regulators and motor drivers. These types can be operated Terminal Diagram  
directly from low power integrated circuits.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
PACKAGING AVAILABILITY  
PACKAGE  
C
PART NUMBER  
HGTD10N40F1  
HGTD10N50F1  
HGTD10N40F1S  
HGTD10N50F1S  
BRAND  
TO-251AA  
TO-251AA  
TO-252AA  
TO-252AA  
G10N40  
G10N50  
G
G10N40  
G10N50  
E
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A to  
obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e., HGTD10N40F19A.  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTD10N40F1  
HGTD10N50F1  
HGTD10N40F1S HGTD10N50F1S UNITS  
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
400  
400  
500  
500  
V
V
CES  
CGR  
Collector-Gate Voltage R = 1MΩ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GE  
Gate-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±20  
12  
10  
75  
±20  
12  
10  
75  
V
A
A
GE  
C25  
C90  
o
Collector Current Continuous at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
o
at T = +90 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
o
Power Dissipation Total at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Power Dissipation Derating T > +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
W
C
D
o
o
0.6  
-55 to +150  
0.6  
-55 to +150  
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
C
J
STG  
INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS:  
4,364,073  
4,587,713  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,417,385  
4,598,461  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
4,430,792  
4,605,948  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,443,931  
4,618,872  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,466,176  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,516,143  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,532,534  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,567,641  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 2425.4  
www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
3-1  
1234

中文翻译

下载PDF

与HGTD10N40F1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD10N40F1S9A RENESAS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD10N50F1 INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S9A RENESAS

获取价格

 		12A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD14N41G4VLS RENESAS

获取价格

 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD14N41G4VLS9A RENESAS

获取价格

 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD1N120BNS FAIRCHILD

获取价格

 		5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120BNS INTERSIL

获取价格

 		5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120BNS9A FAIRCHILD

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA
HGTD1N120BNS9A ONSEMI

获取价格

 		IGBT，1200V，NPT

与HGTD10N40F1S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证