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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | CURRENT SENSING PILOT |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 18 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN CURRENT AND KELVIN SENSOR |
| JEDEC-95代码： | TS-001AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T5 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTD10N40F1 | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N40F1S | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N40F1S9A | RENESAS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA |
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| HGTD10N50F1 | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N50F1S | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N50F1S9A | RENESAS |
获取价格 |
12A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD14N41G4VLS | RENESAS |
获取价格 |
24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD14N41G4VLS9A | RENESAS |
获取价格 |
24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD1N120BNS | FAIRCHILD |
获取价格 |
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGTD1N120BNS | INTERSIL |
获取价格 |
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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