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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 18 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 最大降落时间（tf）： | 2500 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTD10N40F1 | INTERSIL |
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10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N40F1S | INTERSIL |
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10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N40F1S9A | RENESAS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA |
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| HGTD10N50F1 | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N50F1S | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD10N50F1S9A | RENESAS |
获取价格 |
12A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD14N41G4VLS | RENESAS |
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24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD14N41G4VLS9A | RENESAS |
获取价格 |
24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD1N120BNS | FAIRCHILD |
获取价格 |
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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| HGTD1N120BNS | INTERSIL |
获取价格 |
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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