5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HGTA32N60E2
HGTA32N60E2 PDF预览

HGTA32N60E2

更新时间： 2024-01-20 01:27:26
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
32A, 600V N-Channel IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

HGTA32N60E2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：600 V
最大降落时间（tf）：800 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)

HGTA32N60E2 数据手册

 浏览型号HGTA32N60E2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HGTA32N60E2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HGTA32N60E2的Datasheet PDF文件第4页 
HGTA32N60E2  
32A, 600V N-Channel IGBT  
April 1995  
Features  
Package  
JEDEC MO-093AA (5 LEAD TO-218)  
• 32A, 600V  
• Latch Free Operation  
• Typical Fall Time 620ns  
• High Input Impedance  
• Low Conduction Loss  
5 EMITTER  
4 EMITTER KELVIN  
3 COLLECTOR  
2 NO CONNECTION  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
1 GATE  
Description  
The IGBT is a MOS gated high voltage switching device  
combining the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. The device has the high input impedance of a  
MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar  
transistor. The much lower on-state voltage drop varies only  
moderately between +25oC and +150oC.  
Terminal Diagram  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
C
IGBTs are ideal for many high voltage switching applications  
operating at frequencies where low conduction losses are  
essential, such as: AC and DC motor controls, power  
supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.  
G
EMITTER  
KELVIN  
PACKAGING AVAILABILITY  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-218  
BRAND  
E
HGTA32N60E2  
GA32N60E2  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTA32N60E2  
UNITS  
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
600  
600  
50  
32  
200  
±20  
±30  
V
V
A
A
A
V
V
-
CES  
CGR  
Collector-Gate Voltage R = 1MΩ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GE  
o
Collector Current Continuous at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
C
C25  
C90  
o
at V = 15V at T = +90 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
GE  
C
Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
CM  
GES  
GEM  
Gate-Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate-Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
o
Switching Sage Operating Area T = +150 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .SSOA  
Power Dissipation Total at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Power Dissipation Derating T > +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
200A at 0.8 BV  
J
CES  
o
208  
1.67  
-55 to +150  
W
C
D
o
o
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
C
C
J
STG  
o
Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
260  
3
15  
L
SC  
SC  
Short Circuit Withstand Time (Note 2) at V = 15V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t  
µs  
µs  
GE  
at V = 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t  
GE  
NOTES:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junctions temperature.  
o
2. V  
= 360V, T = +125 C, R = 25Ω.  
C GE  
CE(PEAK)  
INTERSIL IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS:  
4,364,073  
4,587,713  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,417,385  
4,598,461  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
4,430,792  
4,605,948  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,443,931  
4,618,872  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,466,176  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,516,143  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,532,534  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,567,641  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 2833.3  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 19939-116  
1234

中文翻译

下载PDF

与HGTA32N60E2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTB12N60D1C RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,CURRENT SENSE,600V V(BR)CES,18A I(C),SIP
HGTB12N60D1C ROCHESTER

获取价格

 		18A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TS-001AA
HGTD10N40F1 INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N40F1S INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N40F1S9A RENESAS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD10N50F1 INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S INTERSIL

获取价格

 		10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S9A RENESAS

获取价格

 		12A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD14N41G4VLS RENESAS

获取价格

 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD14N41G4VLS9A RENESAS

获取价格

 		24A, 430V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

与HGTA32N60E2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证