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HGT5A30N120CN

更新时间： 2024-02-22 11:07:02

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	206K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247ST, 3 PIN

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HGT5A30N120CN 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247ST
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

HGT5A30N120CN 数据手册

HGTG30N120CN / HGTG5A30N120CN

Data Sheet

August 2002

75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

Features

The HGTG30N120CN and HGT5A30N120CN are Non-

Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member

of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs

combine the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. This device has the high input impedance of a

MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor.

• 75A, 1200V, T = 25 C

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 350ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Avalanche Rated

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

• Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER™ Model

www.fairchildsemi.com

Packaging

Formerly Developmental Type TA49281.

JEDEC STYLE TO-247

Ordering Information

COLLECTOR

(BOTTOM SIDE

METAL)

PART NUMBER

HGTG30N120CN

HGT5A30N120CN

PACKAGE

TO-247

TO-247-ST

BRAND

30N120CN

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

JEDEC STYLE TO-247-ST

COLLECTOR

(BOTTOM SIDE

METAL)

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG30N120CN / HGT5A30N120CN Rev. C1

12 3 4 5 6 7 8

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与HGT5A30N120CN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGT5A40N60A4D	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTA32N60E2	INTERSIL	获取价格	32A, 600V N-Channel IGBT
HGTB12N60D1C	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,CURRENT SENSE,600V V(BR)CES,18A I(C),SIP
HGTB12N60D1C	ROCHESTER	获取价格	18A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TS-001AA
HGTD10N40F1	INTERSIL	获取价格	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N40F1S	INTERSIL	获取价格	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N40F1S9A	RENESAS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD10N50F1	INTERSIL	获取价格	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S	INTERSIL	获取价格	10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S9A	RENESAS	获取价格	12A, 500V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

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