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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGT1Y40N60A4D | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 |
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| HGT1Y40N60B3D | FAIRCHILD |
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70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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| HGT1Y40N60C3D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264 |
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| HGT2010 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| HGT2100 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| HGT2100-10 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| HGT2100-100 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| HGT2100-1000 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| HGT3010 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| HGT3030 | ETC |
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Industrial Control IC |
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