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HFP75N08

更新时间： 2024-01-18 16:34:54
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华汕 - HUASHAN /
页数 文件大小 规格书
5页 273K
描述
N-Channel MOSFET

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HFP75N08 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：173 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

HFP75N08 数据手册

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N-Channel MOSFET  
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HFP75N08  
█ APPLICATIONSL  
TO-220  
Low Voltage high-Speed Switching.  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
T
stg——Storage Temperature  
- 55~175℃  
150℃  
173W  
80V  
1―G  
2―D  
3―S  
Tj ——Operating Junction Temperature  
PD —— Allowable Power Dissipation（Tc=25℃）  
VDSS —— Drain-Source Voltage  
VGSS —— Gate-Source Voltage  
±20V  
75A  
ID —— Drain Curren（t Tc=25℃）  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
BVDSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate –Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
80  
V
ID=250μA ,VGS=0V  
10  
μA VDS = 80V，VGS=0  
±100 nA VGS=±20V , VDS =0V  
IGSS  
2.0  
4.0  
V
Ω
VDS = VGS , ID =250μA  
VGS(th)  
0. 011 0. 014  
2600 3380  
VGS=10V, ID =37.5A  
RDS(on) Static Drain-Source On-Resistance  
Ciss  
pF  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn - On Delay Time  
Rise Time  
VDS =25V, VGS=0,f=1MHz  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
940  
210  
30  
1220  
275  
70  
pF  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
A
225  
165  
155  
80  
460  
340  
320  
105  
VDD =40V, ID =75A  
RG= 25 Ω*  
Turn - Off Delay Time  
Fall Time  
td(off)  
tf  
VDS =48V  
Total Gate Charge  
Qg  
Gate–Source Charge  
Gate–Drain Charge  
Qgs  
Qgd  
Is  
VGS=10V  
I D=50A*  
15  
32  
Continuous Source Current  
Diode Forward Voltage  
75  
VSD  
1. 5  
V
IS =75A , VGS=0  
Thermal Resistance，  
Junction-to-Case  
℃/ W  
Rth（j-c）  
0. 87  
*Pulse Test：Pulse Width≤300μs，Duty Cycle≤2%  
12345

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