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HFP70N03V

更新时间： 2024-04-09 19:01:28

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TO-220

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HFP70N03V 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

ME70N03

HFP70N03V

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。DC/DC 转换器、电源管理等。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………30V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±20V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………50A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）…………………………………100A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………50W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_DSS

I_DSS

漏—源极击穿电压

I_D=250μA ,V_GS=0V

μA V_DS=30V，V_GS=0

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

±100 nA

V_GS=±20V , V_DS=0V

V_DS= V_GS, I_D=250μA

I_GSS

1.0

3.0

栅—源极开启电压

V_GS(th)

R_DS(on)漏—源极导通电阻

5.5

8.5

6.6

mΩ V_GS=10V, I_D=30A

mΩ V_GS=4.5V, I_D=15A

Ciss

1640

输入电容

输出电容

V_DS=15V, V_GS=0,f=1MHz

Coss

Crss

t_d(on)

260

Ω

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

V_DS=15V,V_GS=10V

R^L=15Ω

R_G= 3Ω

t_d(off)

t_f

断开延迟时间

下降时间

（注2）

6.5

8.7

4.4

3.6

0.9

0.85

V_DS=15V

栅极总电荷

Qgs 栅极—源极电荷

Qgd 栅极—漏极电荷

VGS=4.5V

ID=25A （注2）

栅极阻抗

f=1MHz

V_SD

源极—漏极二极管导通电压

1.2

I_S=20A , V_GS=0

℃/W

Rth（j-c）热阻

结到外壳

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

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