Datasheet > HFP634

HFP634

更新时间： 2024-11-03 17:00:55

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		/
页数	文件大小	规格书
5页	507K
描述
TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HFP634 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

HFP634

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………250V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………8.1A

I_D——漏极电流（脉冲）（注1）…………………………………32.4A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………74W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_DSS

I_DSS

漏—源极击穿电压

250

I_D=250μA ,V_GS=0V

μA V_DS=250V，V_GS=0

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

±100 nA

V_GS=±30V , V_DS=0V

V_DS= V_GS, I_D=250μA

I_GSS

2.0

4.0

0.36 0.45

780 1000

Ω

栅—源极开启电压

V_GS(th)

V_GS=10V, I_D=4.05A

R_DS(on)漏—源极导通电阻

Ciss

输入电容

输出电容

V_DS=25V, V_GS=0,f=1MHz

Coss

Crss

t_d(on)

125

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

V_DS=125V,

I_D=8.1A (峰值)

R_G= 25 Ω

（注2）

150

200

130

t_d(off)

t_f

断开延迟时间

下降时间

100

V_DS=200V

栅极总电荷

Qgs 栅极—源极电荷

Qgd 栅极—漏极电荷

VGS=10V

4.0

ID=8.1A （注2）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

8.1

1.5

V_SD

I_S=8.1A , V_GS=0

℃/W

Rth（j-c）热阻

1.69

结到外壳

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与HFP634相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HFP640	HUASHAN	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HFP640	SEMIHOW	获取价格	200V N-Channel MOSFET
HFP644	SEMIHOW	获取价格	250V N-Channel MOSFET
HFP6N90	SEMIHOW	获取价格	900V N-Channel MOSFET
HFP6N90	HUASHAN	获取价格	TO-220
HFP70N03V	HUASHAN	获取价格	TO-220
HFP70N06	HUASHAN	获取价格	TO-220
HFP730	SEMIHOW	获取价格	400V N-Channel MOSFET
HFP730	HUASHAN	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HFP740	HUASHAN	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor