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HFP5N60

更新时间： 2024-09-25 17:01:35

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TO-220

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HFP5N60 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

FQP5N60C

HFP5N60

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………600V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………4.5A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………100W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BVDSS

IDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

600

V ID=250μA，VGS=0

μA VDS=600V，VGS=0

nA VGS=±30V，VDS=0

V VDS=VGS，ID=250μA

Ω VGS=10V，ID=2.25A

±100

4.5

2.5

690

IGSS

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.5

2.0

530

Ciss

Coss

Crss

输入电容

输出电容

pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz

反向传输电容

Td（on）导通延迟时间

Td（off）断开延迟时间

上升时间

VDD=300V，ID=4.5A

RG=25Ω（注1）

下降时间

100

栅极总电荷

VDS=480V,

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

4.0

7.0

VGS=10V，

栅极—漏极电荷

ID=4.5A（注1）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

4.5

1.4

VSD

V IS=4.5A，VGS=0

℃/W 结到外壳

Rth(j-c) 热阻

1.25

注：1、脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

12 3 4 5

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