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HFP50N06

更新时间： 2024-01-17 02:20:18

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华汕 - HUASHAN		/
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N-Channel MOSFET

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HFP50N06 数据手册

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N-Channel MOSFET

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HFP50N06

█ APPLICATIONSL

TO-220

Low Voltage high-Speed Switching.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T

_stg——Storage Temperature

- 55~175℃

150℃

130W

60V

1―G

2―D

3―S

T_j——Operating Junction Temperature

P_D—— Allowable Power Dissipation（T_c=25℃）

V_DSS—— Drain-Source Voltage

V_GSS—— Gate-Source Voltage

±20V

50A

I_D—— Drain Curren（t T_c=25℃）

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

BV_DSS

I_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate –Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

60

V

I_D=250μA ,V_GS=0V

1

μA V_DS= 60V，V_GS=0

±100 nA V_GS=±20V , V_DS=0V

I_GSS

2.0

4.0

0. 018 0. 023

V

Ω

V_DS= V_GS, I_D=250μA

V_GS(th)

V_GS=10V, I_D=25A

R_DS(on)Static Drain-Source On-Resistance

Ciss

880

430

110

60

1140

560

140

130

380

160

130

45

pF

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn - On Delay Time

Rise Time

V_DS=25V, V_GS=0,f=1MHz

Coss

Crss

t_d(on)

tr

pF

pF

nS

nS

nS

nS

nC

nC

nC

A

185

75

V_DD=30V, I_D=25A

R_G= 50 Ω*

Turn - Off Delay Time

Fall Time

t_d(off)

t_f

60

V_DS=48V

Total Gate Charge

Qg

39

Gate–Source Charge

Gate–Drain Charge

Qgs

Qgd

Is

VGS=10V

I D=50A*

9.5

13

Continuous Source Current

Diode Forward Voltage

50

V_SD

1. 5

V

I_S=50A , V_GS=0

Thermal Resistance，

Junction-to-Case

℃/ W

Rth（j-c）

1. 15

*Pulse Test：Pulse Width≤300μs，Duty Cycle≤2%

12 3 4 5

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