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HFP3N80

更新时间： 2024-09-25 17:01:59

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TO-220

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HFP3N80 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

FQP3N80C

HFP3N80

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………800V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………3A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）…………………………………12A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………107W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BVDSS

IDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

800

V ID=250μA，VGS=0

μA VDS=800V，VGS=0

nA VGS=±30V，VDS=0

V VDS=VGS，ID=250μA

Ω VGS=10V，ID=1.5A

±100

4.5

4.8

910

IGSS

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.5

4.0

700

Ciss

Coss

Crss

输入电容

输出电容

pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz

反向传输电容

Td（on）导通延迟时间

Td（off）断开延迟时间

上升时间

110

VDD=400V，ID=3A

RG=25Ω（注2）

下降时间

栅极总电荷

VDS=640V,

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

4.5

7.5

VGS=10V，

栅极—漏极电荷

ID=3A（注2）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

VSD

1.4

1.17

V IS=3A，VGS=0

℃/W 结到外壳

Rth(j-c) 热阻

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

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