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HFP3205

更新时间： 2024-09-25 17:01:39

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TO-220

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HFP3205 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

HRF3205

HFP3205

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………55V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±20V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………100A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………175W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

最小

值

典型

值

最大

值

参数符号

符号说明

单位

测试条件

ID=250μA、VGS=0

BVDSS

IDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

100

4.0

μA VDS=55V、VGS=0

nA VGS=±20V、VDS=0

IGSS

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.0

VDS=VGS、ID=250μA

mΩ VGS=10V、ID=59A(Figure4)

Ciss

Coss

Crss

输入电容

4000

1300

480

输出电容

pF VDS=25V、VGS=0、f=1MHz

反向传输电容

(Figure 5)

Td（on）导通延迟时间

Td（off）断开延迟时间

VDD=28V、ID≌59A

VGS = 10V、RL = 0.47Ω

RGS = 2.5Ω

上升时间

100

下降时间

栅极总电荷

170

VDD=44V、ID≌59A

VGS=10V、Ig(REF) = 3mA

(Figure 6)

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

栅极—漏极电荷

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

100

1.3

1.25

VSD

ISD = 59A ，VGS=0

Rth(j-c) 热阻

℃/W 结到外壳

注：1、脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

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