Datasheet > HFP110N03

HFP110N03

更新时间： 2024-09-15 17:02:03

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		/
页数	文件大小	规格书
5页	383K
描述
TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HFP110N03 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

HFP110N03

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。DC/DC 转换器、电源管理等。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………30V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±20V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………108A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）…………………………………432A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………107W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_DSS

I_DSS

漏—源极击穿电压

I_D=250μA ,V_GS=0V

μA V_DS=30V，V_GS=0

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

±100 nA

V_GS=±20V , V_DS=0V

V_DS= V_GS, I_D=250μA

I_GSS

1.0

3.0

栅—源极开启电压

V_GS(th)

R_DS(on)漏—源极导通电阻

4.5

5.5

mΩ V_GS=10V, I_D=40A

mΩ V_GS=5V, I_D=25A

Ciss

3200

580

400

输入电容

输出电容

V_DS=25V, V_GS=0,f=1MHz

Coss

Crss

t_d(on)

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

V_DS=15V,V_GS=5V

R^L=0.6Ω

R_G= 10Ω

102

t_d(off)

t_f

断开延迟时间

下降时间

（注2）

V_DS=15V

栅极总电荷

Qgs 栅极—源极电荷

Qgd 栅极—漏极电荷

VGS=5V

ID=40A （注2）

I_S=108A , V_GS=0

结到外壳

V_SD

源极—漏极二极管导通电压

1.25

1.4

℃/W

Rth（j-c）热阻

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与HFP110N03相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HFP111F006A1	MURATA	获取价格	DC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, 1.2W, Hybrid, 22 X 8 X 13 MM, SIP-4
HFP111F009A1	MURATA	获取价格	DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 1.6W, Hybrid, SIP-7/4
HFP11N40	SEMIHOW	获取价格	400V N-Channel MOSFET
HFP11N60S	HUASHAN	获取价格	TO-220
HFP126A003A1	MURATA	获取价格	DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 0.8W, Hybrid, DIP-8
HFP126A010A1	MURATA	获取价格	DC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, 0.5W, Hybrid, 24.50 X 5.50 X 12 MM, SIP-6
HFP126YM011A1	ETC	获取价格	Analog IC
HFP12N60S	SEMIHOW	获取价格	600V N-Channel MOSFET
HFP12N65S	SEMIHOW	获取价格	650V N-Channel MOSFET
HFP13N50S	SEMIHOW	获取价格	500V N-Channel MOSFET