生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 模拟集成电路 - 其他类型: | DC-DC BOOSTER MODULE |
最大输入电压: | 1.7 V | 最小输入电压: | 0.9 V |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 功能数量: | 1 |
输出次数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大输出电压: | 3.35 V | 最小输出电压: | 2.95 V |
标称输出电压: | 3 V | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 技术: | HYBRID |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
微调/可调输出: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HFP101A029A1 | MURATA |
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DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output | |
HFP101A033A1 | MURATA |
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DC-DC Booster Module, 1 Output, 0.22W, Hybrid | |
HFP106A004A1 | ETC |
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Analog IC | |
HFP106F001A1 | MURATA |
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DC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, 1.2W, Hybrid, 23 X 8 X 13.50 MM, SIP-4 | |
HFP106YM002A1 | ETC |
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Analog IC | |
HFP10N60 | SEMIHOW |
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600V N-Channel MOSFET | |
HFP10N60S | SEMIHOW |
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600V N-Channel MOSFET | |
HFP10N65S | SEMIHOW |
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650V N-Channel MOSFET | |
HFP110N03 | HUASHAN |
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TO-220 | |
HFP111F006A1 | MURATA |
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DC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, 1.2W, Hybrid, 22 X 8 X 13 MM, SIP-4 |