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HFH16N50

更新时间： 2024-11-12 17:01:31

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TO-3P

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HFH16N50 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

FQA16N50

HFH16N50

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高压高速电源开关。

TO-3P

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度…………………………………………… -55~150℃

T_j——结温………………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压……………………………………………500V

V_{G S}——栅极—源极电压………………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）…………………………………………………16A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）………………………………………… 64A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………200W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BVDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

500

V ID=250μA，VGS=0

μA VDS=500V，VGS=0

IDSS

IGSS

±100 nA VGS=±30V，VDS=0

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.5

4.5

V VDS=VGS，ID=250μA

0.38

Ω VGS=10V，ID=8A

Ciss

Coss

Crss

输入电容

2300

325

输出电容

pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz

反向传输电容

Td（on）导通延迟时间

Tr 上升时间

Td（off）断开延迟时间

180

130

100

VDD=250V，ID=16A（峰

ns 值），RG=25Ω（注2）

下降时间

栅极总电荷

VDS=400V

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

VGS=10V，

栅极—漏极电荷

ID=16A（注2）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

VSD

1.4

V IS=16A，VGS=0

Rth(j-c) 热阻

0.63 ℃/W 结到外壳

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

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