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HFF8N80

更新时间： 2024-11-13 17:01:23

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描述
TO-220F

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HFF8N80 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

FQPF8N80C

HFF8N80

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。

TO-220F

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………800V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………8.0A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注1）…………………………………32A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）…………………………………59W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_DSS

I_DSS

漏—源极击穿电压

800

I_D=250μA ,V_GS=0V

μA V_DS=800V，V_GS=0

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

±100 nA

V_GS=±30V , V_DS=0V

V_DS= V_GS, I_D=250μA

I_GSS

3.0

5.0

1.55

2050

175

栅—源极开启电压

V_GS(th)

Ω

V_GS=10V, I_D=4A

R_DS(on)漏—源极导通电阻

Ciss

1580

135

输入电容

输出电容

V_DS=25V, V_GS=0,f=1MHz

Coss

Crss

t_d(on)

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

V_DS=400V,

I_D=8.0A (峰值)

R_G= 25 ꢀ

110

230

140

150

t_d(off)

断开延迟时间

t_f

下降时间

（注2）

V_DS=640V

栅极总电荷

Qgs 栅极—源极电荷

Qgd 栅极—漏极电荷

VGS=10V

ID=8.0A（注2）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

8.0

1.4

2.1

V_SD

I_S=8.0A , V_GS=0

℃/W

Rth（j-c）热阻

结到外壳

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

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